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HM60N06K	文件：628.53 Kbytes Page：6 Pages	Special process technology for high ESD capability	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS60N06D	文件：838.05 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HRLO60N06H	文件：574.2 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KF60N06P	文件：86.67 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrection,electroniclampballastsbasedonhalfbridgetopology,DC/	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
ME60N06G	文件：990.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTB60N06	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：280.75 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET60AMPERES60VOLTS HDTMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB60N06HD	文件：284.62 Kbytes Page：11 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTM60N06	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM60N06	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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深圳市汇莱威科技有限公司	HM60N06K	HMSEMI	24+	TO-252	500232	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	HM60N75K	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
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