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HM60N06K	文件：628.53 Kbytes Page：6 Pages	Special process technology for high ESD capability 文件：628.53 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM60N06K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HMS60N06D	文件：838.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：838.05 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HRLO60N06H	文件：574.2 Kbytes Page：8 Pages	60V N-Channel Trench MOSFET 文件：574.2 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
KF60N06P	文件：86.67 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction , electronic lamp ballasts based on half bridge topology, DC/ 文件：86.67 Kbytes 页数：6 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
60.00A
IDM：
150.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
10.20mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
UTC60N06/NTP60N06/SUM60N06/CEP60N06/IPP060N06/AM60N06/STP60N06

更多HM60N06K供应商更新时间2025-11-30 11:10:00