| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
HM50P06K | P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON) 文件：809.66 Kbytes 页数：4 Pages | BYCHIP 百域芯 | BYCHIP | |
HM50P06K | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：654.36 Kbytes 页数：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | HMSEMI | |
HM50P06K | P沟道 中压大电流MOS | HmpowerSemi 虹美功率 | HmpowerSemi | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance 文件：184.9 Kbytes 页数：7 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | ||
Glass Passivated Bridge Rectifiers 文件：234.96 Kbytes 页数：4 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
-50A, -60V P-CHANNEL (D-S) POWER MOSFET 文件：144.02 Kbytes 页数：3 Pages | UTC 友顺 | UTC |
技术参数
- 封装（Package）：
TO-252
- 沟道（Polarity）：
P沟道
- VDS(Max)BVDSS(V)：
-60.00V
- ID(Max)ID(A)：
-50.00A
- IDM：
-150.00A
- VTH(Typ)：
-1.90V
- VGS：
-20.00V
- RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
23.00mΩ
- RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
- RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
- 直接替代型号（compatible）：
ME50P06/SUP50P06/SUD50P06/IRF4905/MTD50P06/NTB50P06
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Hmsemi |
23+ |
TO-252 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
HMSEMI |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HMSEMI |
2022+ |
TO-252 |
5000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HMSEMI |
23+ |
TO-252 |
6800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
VBsemi |
25+ |
TO252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
HMSEMI |
22+ |
TO-252 |
20000 |
只做原装 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6-8L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
韩国三和SAMWHA |
23+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
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