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HM50P06K

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON)

文件:809.66 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

HM50P06K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:654.36 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM50P06K

P沟道 中压大电流MOS

HmpowerSemi

虹美功率

ISC50P06

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -50A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 37mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor control and drive · Battery management · Genaral Power Switching

文件:261.11 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

LMAK50P06

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.11293 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

ME50P06

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:971.73 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • 封装(Package):

    TO-252

  • 沟道(Polarity):

    P沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    -60.00V

  • ID(Max)ID(A):

    -50.00A

  • IDM:

    -150.00A

  • VTH(Typ):

    -1.90V

  • VGS:

    -20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    23.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible):

    ME50P06/SUP50P06/SUD50P06/IRF4905/MTD50P06/NTB50P06

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HM50P06K供应商 更新时间2025-12-8 14:05:00