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HM50P06	文件：576.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：576.22 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM50P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道中压大电流MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM50P06K	文件：809.66 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON) 文件：809.66 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
HM50P06K	文件：654.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：654.36 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
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技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
P沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
-60.00V
ID(Max)ID(A)：
-50.00A
IDM：
-150.00A
VTH(Typ)：
-1.90V
VGS：
-20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
23.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
ME50P06/SUP50P06/SUD50P06/IRF4905/MTD50P06/NTB50P06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM50P06供应商更新时间2025-12-2 11:00:00

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