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HM50N06K	文件：584.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：584.41 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM50N06KA	文件：723.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：723.12 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM50N06KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HMS50N06Q	文件：511.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：511.06 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HRD50N06K	文件：802.03 Kbytes Page：9 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology 文件：802.03 Kbytes 页数：9 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HS50N06DA	文件：1.09696 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.09696 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
50.00A
IDM：
200.00A
VTH(Typ)：
1.90V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
14.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/SSF6808/AP50N06/PHD50N06/FQP50N06/FTD50N06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM50N06K供应商更新时间2025-12-10 17:47:00

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