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HM4853A

丝印:HM4853A;Package:SOP-8;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:610.78 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM4853A

双P沟道 低压MOS

HmpowerSemi

虹美功率

HM4853B

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:569.16 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

LM4853

Mono 1.5 W / Stereo 300mW Power Amplifier

文件:869.57 Kbytes 页数:17 Pages

NSC

国半

LM4853

Mono 1.5 W / Stereo 300mW Power Amplifier

文件:1.97761 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • 封装(Package):

    SOP8

  • 沟道(Polarity):

    双P沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    -20.00V

  • ID(Max)ID(A):

    -20.00A

  • IDM:

    -60.00A

  • VTH(Typ):

    -0.60V

  • VGS:

    -12.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    5.80mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    7.20mΩ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VBsemi
23+
SOP8
50000
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SOP8
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SOP8
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DIP
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更多HM4853A供应商 更新时间2025-11-23 13:01:00