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HM4853B

丝印:HM4853B;Package:SOP-8;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:569.16 Kbytes 页数:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM4853B

双P沟道 低压MOS

HmpowerSemi

虹美功率

LM4853

Mono 1.5 W / Stereo 300mW Power Amplifier

文件:869.57 Kbytes 页数:17 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM4853

Mono 1.5 W / Stereo 300mW Power Amplifier

文件:1.97761 Mbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LM4853LD

Mono 1.5 W / Stereo 300mW Power Amplifier

文件:869.57 Kbytes 页数:17 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

技术参数

  • 封装(Package):

    SOP8

  • 沟道(Polarity):

    双P沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    -12.00V

  • ID(Max)ID(A):

    -8.00A

  • IDM:

    -24.00A

  • VTH(Typ):

    -0.65V

  • VGS:

    -12.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    21.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    28.00mΩ

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更多HM4853B供应商 更新时间2025-10-4 14:04:00