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HM45N06D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
RFG45N06	文件：82.12 Kbytes Page：6 Pages	45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as 文件：82.12 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
RFG45N06	文件：73.85 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as 文件：73.85 Kbytes 页数：8 Pages	INTERSIL	INTERSIL
RFP45N06	文件：82.12 Kbytes Page：6 Pages	45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as 文件：82.12 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

封装（Package）：
DFN5X6-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
35.00A
IDM：
105.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
12.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON6248/AON6266

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM45N06D供应商更新时间2026-10-24 10:20:00

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