HM3307D资料datasheet下载市场行情虹美功率-114ic电子网

首页 >HM3307D>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
HM3307D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
IIRFB3307	文件：338.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIRFB3307Z	文件：339.08 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3307	文件：412.48 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed 文件：412.48 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
80.00V
ID(Max)ID(A)：
120.00A
IDM：
480.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
25.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
5.40mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRFB3307/AOT282/4/AOT482/SUM90N08/SUM110N08/IRF1018ES/IRF1010ES

更多HM3307D供应商更新时间2025-10-12 13:01:00