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HM2N25	文件：528.6 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM2N25；Package：TO-92；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：528.6 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2N25MR	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
MMFT2N25E	文件：142.34 Kbytes Page：6 Pages	High Energy Power FET 文件：142.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMFT2N25E	文件：139.37 Kbytes Page：6 Pages	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS 文件：139.37 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTP2N25	文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：300.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装（Package）：
SOT23-3L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
250.00V
ID(Max)ID(A)：
2.00A
IDM：
10.00A
VTH(Typ)：
2.50V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
1.30mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ

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更多HM2N25供应商更新时间2025-10-11 14:02:00

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