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HM2N10	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：357.81 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2N10B	文件：354.11 Kbytes Page：6 Pages	丝印：0102；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：354.11 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2N10B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
RFP2N10	文件：46.73 Kbytes Page：4 Pages	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters. motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive 文件：46.73 Kbytes 页数：4 Pages	Intersil	Intersil
RFP2N10	文件：93.26 Kbytes Page：2 Pages	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 文件：93.26 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
RFP2N10L	文件：35.55 Kbytes Page：5 Pages	2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs The RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching, and solenoid drivers. This performance is accomplished th 文件：35.55 Kbytes 页数：5 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

封装（Package）：
SOT23
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
ID(Max)ID(A)：
2.00A
IDM：
5.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
210.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
HM2N10B

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM2N10供应商更新时间2025-10-8 11:10:00

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