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HM2N10B	文件：354.11 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
2N10L	文件：65.05 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
EMBA2N10A	文件：231.24 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FIR2N10LTG	文件：3.42734 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
HM2N10	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
RFP2N10	文件：93.26 Kbytes Page：2 Pages	2A,80Vand100V,1.05Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP2N10	文件：46.73 Kbytes Page：4 Pages	2A,80Vand100V,1.05Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters.motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP2N10L	文件：35.55 Kbytes Page：5 Pages	2A,80Vand100V,1.050Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFP2N08LandRFP2N10LareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP2N10L	文件：938.32 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STN2N10L	文件：86.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.35Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■SOT-223CANBEWAVEORREFLOWSOLDERED ■AVAILABLEINTAPEANDREELONREQUEST ■150°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HARDDISKDRIVER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STN2N10L	文件：977.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SW2N10	文件：454.45 Kbytes Page：5 Pages	N-channelSOT-23MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
UT2N10	文件：150.43 Kbytes Page：3 Pages	2Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTT2N10	文件：200.51 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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更多HM2N10B供应商更新时间2024-4-28 15:49:00

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