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HM2305PR	文件：489.25 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM2305PR；Package：SOT-89-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：489.25 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM2305PR	文件：1.79658 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.79658 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HM2305PR	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道低压MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
LMX2305	文件：228.09 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：228.09 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2305TMX	文件：228.09 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：228.09 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
NTE2305	文件：23.7 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16 文件：23.7 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

更多HM2305PR供应商更新时间2026-10-25 16:25:00