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HM180N02	文件：607.82 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM180N02；Package：TO-220-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM180N02D	文件：810.3 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM180N02D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM180N02D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下);	HmpowerSemiHongmei Power Semiconductor Co., Ltd 虹美功率深圳市虹美功率半导体有限公司	HmpowerSemi
HM180N02K	文件：997.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM180N02K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
TFD180N02	文件：4.5479 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET FEATURE -TrenchFETPowerMOSFET -ExcellentRDS(on) -LowGateCharge -HighPowerandCurrentHandingCapability -SurfaceMountPackage APPLICATION -BatteryProtection -LoadSwitch -PowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
20.00V
ID(Max)ID(A)：
180.00A
IDM：
540.00A
VTH(Typ)：
0.75V
VGS：
12.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
1.40mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
1.60mΩ
直接替代型号（compatible）：
AOD424/NTD180N02/MTD180N02/FU180N02/SUD180N02/IRFR3704Z/IRFR3711Z/IRLR6225

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