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HM180N02D	文件：810.3 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM180N02D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：810.3 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM180N02D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM180N02K	文件：997.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：997.33 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
TFD180N02	文件：4.5479 Mbytes Page：6 Pages	N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FEATURE - TrenchFET Power MOSFET - Excellent RDS(on) - Low Gate Charge - High Power and Current Handing Capability - Surface Mount Package APPLICATION - Battery Protection - Load Switch - Power Management 文件：4.5479 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
20.00V
ID(Max)ID(A)：
180.00A
IDM：
540.00A
VTH(Typ)：
0.75V
VGS：
12.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
1.40mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
1.60mΩ
直接替代型号（compatible）：
AOD424/NTD180N02/MTD180N02/FU180N02/SUD180N02/IRFR3704Z/IRFR3711Z/IRLR6225

更多HM180N02D供应商更新时间2025-11-28 8:58:00