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HM1404D	文件：615.47 Kbytes Page：7 Pages	Marking：HM1404D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION TheHM1404DusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES ●VDS=40V,ID=200A RDS(ON)	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HOA1404	文件：441.31 Kbytes Page：4 Pages	ReflectiveSensor	HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers 霍尼韦尔霍尼韦尔国际有限公司	HONEYWELL-ACC
IIRF1404	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRL1404	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign,providethedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤4.0mΩ •Enhancementmode •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1404	文件：107.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=0.004ohm,Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404	文件：2.99281 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1404	文件：139.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellk	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1404L	文件：306.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=0.004ohm,Id=162A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynamicdv/dtRating l175°COperatingTemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1404L	文件：1.19651 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage. lAdvancedProcessTechnology lUltraLowOn-Resistance lDynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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