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HM1404D	文件：615.47 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM1404D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM1404D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES ● VDS = 40V,ID =200A RDS(ON) 文件：615.47 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM1404D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HOA1404	文件：441.31 Kbytes Page：4 Pages	Reflective Sensor 文件：441.31 Kbytes 页数：4 Pages	HONEYWELL-ACC 霍尼韦尔	HONEYWELL-ACC
IIRF1404	文件：338.61 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIRF1404Z	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装（Package）：
TO-263
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
40.00V
ID(Max)ID(A)：
200.00A
IDM：
790.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
3.30mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IRF1404/MXP4004/SSFT4003

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更多HM1404D供应商更新时间2025-10-13 15:05:00

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