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IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.07ohm,Id=27A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315L	文件：300.35 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315LPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315LPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：237.5 Kbytes Page：8 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315PBF	文件：143.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)=0.082ohm,Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
HLMP3315
制造商：
onsemi
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）
颜色：
红色
配置：
标准
透镜颜色：
红色
透镜透明度：
散射
毫烛光等级：
18mcd
透镜样式：
圆形，带圆顶
透镜尺寸：
5mm，T-1 3/4
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.2V
电流 - 测试：
10mA
视角：
35°
安装类型：
通孔
波长 - 峰值：
635nm
封装/外壳：
径向
供应商器件封装：
T-1 3/4
高度（最大值）：
8.89mm
描述：
LED RED DIFFUSED T-1 3/4 T/H

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒达亿科技有限公司	HLMP3315	HP	23+	QFP	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
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更多HLMP3315供应商更新时间2025-5-18 9:08:00

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