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HLB124	文件：142.72 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB124 is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits, and amplifier applications. FEATURES * High Speed Switching * Low Saturation Voltage * High Reliability 文件：142.72 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
HLB124	文件：37.34 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB124E is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits, and amplifier applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage • High Reliability 文件：37.34 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HLB124	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description\nThe HLB124E is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits, and amplifier applications. • High Speed Switching\n• Low Saturation Voltage\n• High Reliability ;	HSMC 华昕	HSMC
HLB124E	文件：37.34 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HLB124E is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits, and amplifier applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage • High Reliability 文件：37.34 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HLB124-TO-220	文件：142.72 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HLB124 is designed for high voltage, high speed switching inductive circuits, and amplifier applications. FEATURES * High Speed Switching * Low Saturation Voltage * High Reliability 文件：142.72 Kbytes 页数：3 Pages	ANALOGICTECH Advanced Analogic Technologies	ANALOGICTECH
HLB124E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-220AB Bipolar Transistor	HSMC 华昕	HSMC
HLB124-TO-220	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Skyworks 思佳讯	Skyworks

技术参数

Type：
NPN
BVCEO(V)：
400
IC(A)：
2
PD(W)：
35
hFEMin.：
10
hFEMax.：
40
VCE(sat)Max.(V)：
0.3
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HLB124供应商更新时间2026-10-1 10:59:00

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