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IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets,	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFD123	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD123	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD123	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD123PBF	文件：1.73655 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •ForAutomaticInsertion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD123PBF	文件：934.95 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFF123	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
ISCNH123L	文件：305.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J123F	文件：130.83 Kbytes Page：2 Pages	ULFclassratedstandard	CIT CIT Relay & Switch	CIT

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详细参数

型号：
HLB123D
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	HLB123D	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市近平电子有限公司	HLB123D	华晰	6000	面议	19	DIP	询价
上海市鑫鸿达电子	HLB123D-B3	HI-SINCERITY	2022+		250	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HLB123D-B	华昕	23+	8	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	HLB123I	HITACHI	2025+	TO-251	4835	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HLB123I-B3	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-263(D	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市仟禧电子有限公司	HLB123I-B3	HSMC	22+	TO-251	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	HLB123T-B3	HIS	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳庞田科技有限公司	HLB124	UTC	2023+环保现货	TO220	50000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价

更多HLB123D供应商更新时间2025-7-15 18:04:00

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