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Marking：HL025N065SC1；Package：TO247-3L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelin | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
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