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NTHL025N065SC1	文件：276.64 Kbytes Page：8 Pages	Marking：HL025N065SC1；Package：TO247-3L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG025N065SC1	文件：218.62 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-19mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18VTyp.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowOutputCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •RoHSCompliant TypicalApplications •SMPS(SwitchingModePowerSupplies) •SolarInv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG025N065SC1	文件：222.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-19mohm,650V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowOutputCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •RoHSCompliant TypicalApplications •AutomotiveOnBoardCha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Marking：HL025N065SC1；Package：TO247-3L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelin

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