NTHL025N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTHL025N065SC1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L
丝印标识	HL025N065SC1
封装外壳	TO247-3L
文件大小	276.64 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-11-27 13:30:00
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特性 Features

• Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC)

• Low Capacitance (Coss = 278 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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