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NTHL025N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTHL025N065SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 19 mohm,650V, M2, TO-247-3L

丝印标识

HL025N065SC1

封装外壳

TO247-3L

文件大小

276.64 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 23:00:00

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NTHL025N065SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC)

• Low Capacitance (Coss = 278 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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