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NTHL022N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTHL022N120M3S
厂商型号

NTHL022N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-3L

文件大小

272.3 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NTHL022N120M3S规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 139 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 141 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb-Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

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