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NTHL022N120M3S	文件：272.3 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=139nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=141pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb-Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG022N120M3S	文件：227.68 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-SiliconCarbide(SiC),SingleN-Channel,M3,D2PAK-7L1200V,22m,58A Features •Typ.RDS(on)=22m •Lowswitchinglosses(Typ.EON485Jat40A,800V) •100AvalancheTested •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •SolarInverters •ElectricVehicleChargingStations •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •EnergyStorageSystems	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG022N120M3S	文件：326.59 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–22mohm,1200V,M3,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=22m •Lowswitchinglosses(Typ.EON485Jat40A,800V) •100AvalancheTested •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •SolarInverters •ElectricVehicleChargingStations •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •EnergyStorageSystems	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG022N120M3S	文件：324.94 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,22mohm,1200V,M3S,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=22m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=146pF) •100AvalancheTested •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •SolarInverters •ElectricVehicleChargingStations •Uninterruptible	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG022N120M3S	文件：391.46 Kbytes Page：4 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·Typ.RDS(on)=960mΩ ·100AvalancheTested ·RoHSCompliant APPLICATIONS ·SolarInverters ·ElectricVehicleChargingStations ·UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ·EnergyStorageSystems ·SwitchModePowerSupplies(SMPS)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVBG022N120M3S	文件：232.19 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-SiliconCarbide(SiC),SingleN-Channel,M3,D2PAK-7L1200V,22m,58A Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=148nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=148pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •AutomotiveOnBoardC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG022N120M3S	文件：305.09 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–22mohm,1200V,M3,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=148nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=148pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •AutomotiveOnBoardC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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