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NVBG022N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVBG022N120M3S
厂商型号

NVBG022N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22mohm, 1200V, M3, D2PAK-7L

文件大小

305.09 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 16:49:00

NVBG022N120M3S规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 148 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 148 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

• Automotive Traction Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
D2PAK-7L
1356
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