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NTHL030N120M3S	文件：316.14 Kbytes Page：8 Pages	丝印：HL030N120M3S；Package：TO-247-3L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L Features  Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V  Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)  High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)  100 Avalanche Tested  This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical 文件：316.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多HL030N120M3S供应商更新时间2025-8-11 11:24:00