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NTHL030N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTHL030N120M3S
厂商型号

NTHL030N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L

丝印标识

HL030N120M3S

封装外壳

TO-247-3L

文件大小

316.14 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 20:00:00

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NTHL030N120M3S规格书详情

Features

 Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V

 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)

 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)

 100 Avalanche Tested

 This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

 Solar Inverters

 Electric Vehicle Charging Stations

 UPS (Uninterruptible Power Supplies)

 Energy Storage Systems

 SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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NA/
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ONSEMI
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TO-247
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