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NTHL030N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTHL030N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L

丝印标识

HL030N120M3S

封装外壳

TO-247-3L

文件大小

316.14 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-14 12:15:00

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NTHL030N120M3S规格书详情

特性 Features

 Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V

 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)

 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)

 100 Avalanche Tested

 This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

 Solar Inverters

 Electric Vehicle Charging Stations

 UPS (Uninterruptible Power Supplies)

 Energy Storage Systems

 SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON SEMI/安森美半导体
23+
TO-247-3
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公司只做原装,可配单
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ON(安森美)
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标准封装
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原装正品
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1983
只做原装正品
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