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KSH45H11TM	文件：168.86 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Description General-purposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationsD-PAKforsurfacemountapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE45H •FastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB45H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11	文件：240.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-Emittersaturationvoltage •Pb-freepackageareavailable •Fastswitchingspeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Generalpurposeamplificationandswitchingsuchasoutor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB45H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJB45H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB45H11G	文件：295.93 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Pb-freepackageareavailable ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Generalpurposeamplificationandswitchingsuchas outordriverstagesinapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD45H11	文件：42.37 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposePowerandSwitchingSuchasOutputorDriverStagesinApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LoadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK:“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE45H •FastSwitchingSpeeds •LowCollect	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
HJ45H11
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市天芯威科技有限公司	HJ45H11G-TN3-R	UTC	22+23+	TO-252	8000	新到现货，只做原装进口	询价
深圳良洲科技有限公司	HJ45H11L-TA3-T	UTC	两年内	NA	7647	实单价格可谈	询价
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兆亿微波(北京)科技有限公司	HJ-46	N/A			199		询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	HJ-470~540MHz-L=104mm	皇捷	2021+	-	505		询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	HJ4-AC100V-6	Panasonic Electric Works	2022+	原厂封装	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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