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IM840B	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IM840C	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	MemsOscillator,HighPerformanceDifferentialOscillator,LVPECLandLVDS1.000MHzto220.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM840C	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IRC840	文件：220.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheHEXSensedeviceprovidesanaccuratefractionofthedraincurrentthroughtheadditionaltw	IRF International Rectifier	IRF
IRC840PBF	文件：1.25191 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheHEXSensedeviceprovidesanaccuratefractionofthedraincurrentthroughtheadditionaltw	IRF International Rectifier	IRF
IRF840	文件：60.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorAvalancheenergyrated DESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitched modepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheIRF840issuppliedin	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF840	文件：146.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF840	文件：93.43 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.75ohm-8A-TO-220PowerMESH]MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：272.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF840	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
HIRF840
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HIRF840供应商更新时间2025-7-12 14:02:00

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