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IRF640	文件：158.63 Kbytes Page：5 Pages	18A200VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆SiliconGateforFastSwitchingSpeeds ◆LowRDS(on)toMinimizeOn-Losses.SpecifiedatElevated Temp	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF640	文件：1.94336 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=200V,ID=18A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRF640	文件：6.75207 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedFastSwitching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640	文件：621.58 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF640areN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors. Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandlevelofenergyinbreakdownavalanchemadeofoperation. FEATURES ●RDS(ON)=0.180Ω@VGS=10V ●Ultralowgatecharge(63nCmax.) ●	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF640	文件：453.84 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets 18A,200V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMosfets TheseareN-Channelenhansementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancepowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstancdaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepowe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF640	文件：168.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640A	文件：260.95 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowerRDS(ON):0.144Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640A	文件：68.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •LowRDS(on)=0.144Ω(TYP) •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF640B	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多HIRF640供应商更新时间2025-5-21 11:39:00

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