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MCH6602	文件：248.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MPS6602	文件：30.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR) AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCES=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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MPS6602	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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产品属性

产品编号：
HIP6602BCR-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（5x5）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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