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HGTG20N120E2
厂商型号

HGTG20N120E2

功能描述

34A, 1200V N-Channel IGBT

文件大小

167.55 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Intersil Corporation
企业简称

INTERSIL

中文名称

Intersil Corporation官网

原厂标识
INTERSIL
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:48:00

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HGTG20N120E2规格书详情

描述 Description

The HGTG20N120E2 is a MOS gated, high voltage switch ing device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between +25oC and +150oC.

特性 Features

 34A, 1200V

 Latch Free Operation

 Typical Fall Time - 780ns

 High Input Impedance

 Low Conduction Loss

 

产品属性

  • 型号:

    HGTG20N120E2

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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