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HGTG12N60C3D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

HGTG12N60C3D
厂商型号

HGTG12N60C3D

参数属性

HGTG12N60C3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 24A 104W TO247

功能描述

24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

封装外壳

TO-247-3

文件大小

124.82 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:19:00

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HGTG12N60C3D规格书详情

The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.

特性 Features

• 24A, 600V at TC = 25°C

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 210ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Hyperfast Anti-Parallel Diode

产品属性

  • 产品编号:

    HGTG12N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    380µJ(开),900µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A 104W TO247

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