HGTG12N60C3D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
HGTG12N60C3D
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
100500
产品封装：
SMD
生产批号：
2021+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-6-24 11:03:00

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原厂料号：HGTG12N60C3D品牌：ONSEMI

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HGTG12N60C3D是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ONSEMI/onsemi生产封装SMD/TO-247-3的HGTG12N60C3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
HGTG12N60C3D
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
9 页
文件大小：
270.84 kb
资料说明：
UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 24 A, 600 V

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTG12N60C3D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
开关能量：
380µJ（开），900µJ（关）
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 24A 104W TO247

供应商

企业：
艾睿国际（香港）有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
蔡小姐
手机：
15813737183
询价：
电话：
15813737183
地址：
香港上環永樂街121-125號永達商業大廈3樓A室

HGTG12N60C3D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTG12N60C3D

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