HGT1S12N60A4S9A技术资料参数供应代理-114ic电子网

首页 >HGT1S12N60A4S9>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
HGT1S12N60A4S9A	文件：229.61 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBTs TheHGTP12N60A4,HGTG12N60A4andHGT1S12N60A4S9AareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-stat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

零件编号

下载&订购

功能描述

制造商&上传企业

LOGO

HGT1S12N60A4S9A

文件：229.61 Kbytes

Page：8 Pages

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

TheHGTP12N60A4,HGTG12N60A4andHGT1S12N60A4S9AareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-stat

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HGT1S12N60A4S9
功能描述：
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	FSC	23+	TO-263(D2PAK)	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	HGT1S12N60A4S9A	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-263(D2PAK)	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	HGT1S12N60A4S9A	FAIRCHILD	05+	原厂原装	5011	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳中芯器材有限公司	HGT1S12N60A4S9A	fsc	dc02	原厂封装	750	INSTOCK:/tr/dpak	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HGT1S12N60A4S9A	VISHAY/威世	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	Fairchild/ON	22+	TO263AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市蓝山航业科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	fsc	22+		500000	行业低价,代理渠道	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	ON Semiconductor	2022+	TO-263AB	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市惊羽科技有限公司	HGT1S12N60A4S9A	HRISS	24+25+/26+27+	TO-263-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

更多HGT1S12N60A4S9供应商更新时间2024-6-23 15:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存