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HFP7N80

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy

文件:520.169 Kbytes 页数:7 Pages

Huashan

华汕电子器件

HFP7N80

800V N-Channel MOSFET

文件:1.14484 Mbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

HFP7N80

场效应管

Huashan

华汕电子器件

HFS7N80

800V N-Channel MOSFET

文件:993.97 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIHOW

HFW7N80

800V N-Channel MOSFET

文件:258.529 Kbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

HM7N80

800V N-Channel MOSFET

文件:333.79 Kbytes 页数:8 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • ID(A):

    7.00

  • PD(W):

    167.00

  • RDS(ON)@VGS =10V(Ω):

    1.6

  • 封装形式PACKAGE:

    TO-220

  • 脚位 Pin:

    GDS

  • 替代型号EQUIVALENTTYPE:

     

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HFP7N80供应商 更新时间2025-12-14 22:58:00