| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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LOW-DROPOUTREGULATORS.HIGHEFFICIENCY Designedspecificallytomeettherequirementforextendedoperationofbattery-poweredequipmentsuchascordlessandcellulartelephones,theA8205SLHvoltageregulatorsofferthereduceddropoutvoltageandquiescentcurrentessentialformaximumbatterylife.Applicablealsotopalmtopcompute | Allegro Allegro MicroSystems | Allegro | ||
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG | ||
Electronic,2C#20StrTC,PVCIns,PVCJkt,CMG ProductDescription Electronic,2Conductor20AWG(7x28)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,CMG | BELDEN Belden Inc. | BELDEN | ||
20V,18m2,6A,N-ChannelMOSFET Features ◆20VMOSFETtechnology ◆Lowon-stateresistance ◆Fastswitching ◆Vgs+12V | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet Features VDS=20V,ID=6A RDS(ON),19.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications | UMWUMW 友台友台半导体 | UMW | ||
DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG | ||
DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet ProductSummary Vos=20V,ID=6A RDS(ON),19.5m2(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25m2(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
20VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
5A20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | KIA | ||
DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司 | HOTTECH | ||
10VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
20VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage DualN-ChannelMOSFET APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG | ||
20VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
20VN-ChannelEnhancementMOSFET | FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
Electronic,1PR#20StrTC,POins,Unsh,LSNHJkt,300V,Cca ProductDescription Electronic,1PairAWG20TinnedCopper-Stranded,Polyolefin(PO,PE,PP)insulation,Unshieldedshielding,LSZH/FRNCjacket,300V,CPRCca | BELDEN Belden Inc. | BELDEN | ||
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
SpaceMaker™,2C#20StrTC,POIns,PVCJkt,AWM2937 ProductDescription SpaceMaker™,2Conductor20AWG(26x34)TinnedCopper,POInsulation,PVCOuterJacket,AWM2937 | BELDEN Belden Inc. | BELDEN |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOT23-6 |
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