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HC3M0016120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅SIC MOSFET	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
C3M0016120D	文件：932.98 Kbytes Page：11 Pages	Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • 3rd generation SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low on-resistance • High-speed switching with low capacitances • Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) • Halogen free, RoHS compliant Benefits • Reduce switching losses and minimize gate ringing • H 文件：932.98 Kbytes 页数：11 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3M0016120D	文件：933.85 Kbytes Page：11 Pages	Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology 文件：933.85 Kbytes 页数：11 Pages	Cree 科锐	Cree
C3M0016120K	文件：1.06295 Mbytes Page：12 Pages	Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology 文件：1.06295 Mbytes 页数：12 Pages	Cree 科锐	Cree

技术参数

ID/A：
120A
VDS/V：
1200V
RDS(on)/mΩ：
16
VGS(th)/V：
1.8-3.6
N/P：
N

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