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IRF820	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF820	文件：92.75 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-2.5ohm-2.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=2.5Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALAN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF820	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF820	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF820	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.5A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •	IRF International Rectifier	IRF
IRF820	文件：54.37 Kbytes Page：7 Pages	2.5A,500V,3.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF820	文件：562.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820	文件：217.3 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF820	文件：66.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max) ·FastSwitchingSpeed ·SimpleDriveRequirements APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswitching ·Swithmodepowersupplies(smps) ·	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF820	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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详细参数

型号：
HAZ820BAKR
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	HAZ821KBABRAKR	VISHAY(威世)	24+	插件	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	HB.2B	Facom	22+		4000	原装现货支持实单	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	HB/3007OL3	HD	20+	QFP	500	样品可出,优势库存欢迎实单	询价
深圳市星佑电子有限公司	HB/IM1608-221JT	CERATECH	05+	原厂原装	4051	只做全新原装真实现货供应	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	HB-0.5G10G-90-S	Connphy	24+	模块	400		询价
深圳市一线半导体有限公司	HB00	TI	24+	SSOP14	9829		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	HB00	TI	23+	SSOP16	5000	绝对全新原装!现货!特价!请放心订购!	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	HB00	TI	24+	SSOP16	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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更多HAZ820BAKR供应商更新时间2025-5-30 9:21:00

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