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IRF820规格书详情
FEATURES
● Lower RDS(ON)
● Improved inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Lower input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
产品属性
- 型号：
IRF820
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMC |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST |
03+ |
TO-220 |
838 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
22+新年份 |
TO-220 |
50000 |
原厂渠道/可含税特价出/诚信经营 |
询价 | ||
PH |
23+ |
TO-220 |
65480 |
询价 | |||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
00+ |
TO-220 |
198 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
SEC |
25+23+ |
TO-220 |
38965 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
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