首页>IRF8113GPBF>规格书详情
IRF8113GPBF中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF8113GPBF规格书详情
Benefits
● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
● Low Gate Charge
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
● 100 Tested for RG
Applications
● Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
● Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
● Lead-Free
● Halogen-Free
产品属性
- 型号:
IRF8113GPBF
- 功能描述:
MOSFET HEXFET 30V VDSS 5.6mOhm 10V 24nC
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-8 |
7860 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SO-8 |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | ||
IR |
1925+ |
SOP-8 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOIC8 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
13+ |
SO-8 |
10800 |
询价 | |||
IR |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
IR |
23+ |
SO-8 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |


