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IRF8113GPBF规格书详情
Benefits
● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
● Low Gate Charge
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
● 100 Tested for RG
Applications
● Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
● Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
● Lead-Free
● Halogen-Free
产品属性
- 型号：
IRF8113GPBF
- 功能描述：
MOSFET HEXFET 30V VDSS 5.6mOhm 10V 24nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SO-8 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-8 |
7860 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
IR |
17+ |
SO-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
询价 | |||
IR |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
IR |
09+ |
SOP |
262 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
