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IRF8113GPBF中文资料IRF数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF8113GPBF

功能描述

DirectFETPower MOSFET

文件大小

291.84 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-11-2 10:22:00

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IRF8113GPBF规格书详情

Benefits

● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

● Low Gate Charge

● Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

● 100 Tested for RG

Applications

● Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

● Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

● Lead-Free

● Halogen-Free

产品属性

  • 型号:

    IRF8113GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET HEXFET 30V VDSS 5.6mOhm 10V 24nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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