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厂商型号

IRF820

功能描述

N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

文件大小

140.22 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

MOTOROLA

中文名称

摩托罗拉

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 15:35:00

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IRF820规格书详情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS

rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS

产品属性

  • 型号:

    IRF820

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
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INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
8000
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TO-220
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24+
TO-220
35200
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TO2203
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原厂渠道,现货配单
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IR
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TO-220
30000
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TO-220
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2450+
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25+
TO-220
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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IR
05+
TO-220
8000
原装进口
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