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IRF820规格书详情
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS
产品属性
- 型号：
IRF820
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-220 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR 墨西哥 |
14+13+ |
TO-220 |
1483 |
只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO-220 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
ST |
2023+ |
110000 |
进口原装现货 |
询价 | |||
ST/意法 |
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TO-220 |
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原装现货,优势供应,支持实单! |
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