IRF820中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF820规格书详情
DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
产品属性
- 型号:
IRF820
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220A |
9518 |
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IR |
TO-220 |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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PH |
23+ |
TO-220 |
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询价 |
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