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HAT1038R	文件：60.7 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application ( at Type Code “J “) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：60.7 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1038R	文件：101.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code J) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038R	文件：232.29 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：232.29 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038R	文件：1.0338 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.0338 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
HAT1038R-EL-E	文件：101.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code J) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038RJ	文件：60.7 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application ( at Type Code “J “) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：60.7 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1038RJ	文件：101.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code J) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038RJ-EL-E	文件：101.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Features • For Automotive Application (at Type Code J) • Low on-resistance • Capable of 4 V gate drive • High density mounting 文件：101.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038R_09	文件：232.29 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：232.29 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1038R_15	文件：248.45 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：248.45 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
SOP8
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Dual
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-3.5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
230
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
150
Ciss (pF) 典型值：
600
Vgs (off) (V) 最大值：
-2.2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
2
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT1038R供应商更新时间2025-12-15 10:45:00

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