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HAL830UT-A

耐用的多功能线性霍尔效应传感器

HAL 83x系列是耐用的多功能线性位移和90°以下角度测量。作为可编程输出低通滤波器,模拟和脉宽调制输出让本产品有了更多的灵活性。系列中的新产品延续了先行霍尔效应传感器的长期成功,全部本厂生产,并且有汽车级百万产品零缺陷记录。主要参数,比如磁场范围,输出格式,敏感性,0磁场输出电压(VOQ),及温度系数可以通过在非易失性内存中对磁电路(线性和二次)编程来进行调整。产品具有带斩波补偿的温度补偿霍尔片,交流直流转换器,数据信号处理器,推拉式输出,装载标定数据和数据注册信息的带冗余和锁定功能的EEPROM内存,一系列EEPROM编程界面,以及在各引脚的保护装置。产品可以通过简单的标定来完美调节对输 ·High-precision linear Hall-effect sensor with 12-bit analog output\n·Offset drift over temperature less than ±0.2% of VSUP (±0.1% for HAL 835)\n·Programmable temperature compensation for sensitivity\n·Open-circuit (ground and supply line break) detection with 5 kΩ pull-up and pull-down resi;

TDK-Micronas

HAL830UT-A

线性霍尔传感器

TDK

东电化

HAL830UT-A

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:散装 类别:传感器,变送器 位置传感器 - 角度、线性位置测量 描述:SENSOR ANGLE 89DEG PC PIN

TDK-Micronas GmbH

TDK-Micronas GmbH

HFP830

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:76.28 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

HFP830

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant

文件:398.35 Kbytes 页数:6 Pages

HUASHAN

华汕电子器件

HFP830

500V N-Channel MOSFET

文件:881.93 Kbytes 页数:8 Pages

SEMIHOW

产品属性

  • 产品编号:

    HAL830UT-A

  • 制造商:

    TDK-Micronas GmbH

  • 类别:

    传感器,变送器 > 位置传感器 - 角度、线性位置测量

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    散装

  • 用于测量:

    角度,线性,旋转

  • 技术:

    霍尔效应

  • 旋转角度 - 电气,机械:

    0° ~ 89°

  • 输出:

    模拟电压

  • 致动器类型:

    外磁铁,不含

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 安装类型:

    通孔

  • 端接样式:

    PC 引脚

  • 工作温度:

    -40°C ~ 170°C

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92UT-1

  • 描述:

    SENSOR ANGLE 89DEG PC PIN

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更多HAL830UT-A供应商 更新时间2026-3-10 9:01:00