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ATMEGA649	文件：6.8528 Mbytes Page：392 Pages	HighEnduranceNon-volatileMemorySegments	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：6.8528 Mbytes Page：392 Pages	HighEnduranceNon-volatileMemorySegments	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：3.40174 Mbytes Page：375 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：3.40174 Mbytes Page：375 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATmega329/3290/649/6490isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATmega329/3290/649/6490achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptim	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：329.41 Kbytes Page：28 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash Overview TheATmega329/3290/649/6490isalow-powerCMOS8-bitmicrocontrollerbasedontheAVRenhancedRISCarchitecture.Byexecutingpowerfulinstructionsinasingleclockcycle,theATmega329/3290/649/6490achievesthroughputsapproaching1MIPSperMHzallowingthesystemdesignertooptim	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATMEGA649V	文件：783.73 Kbytes Page：29 Pages	8-bitMicrocontrollerwithIn-SystemProgrammableFlash	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
B649	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
B649A	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD649	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistors Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD649	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD649F	文件：278.82 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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