BD649分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD649 |
| 参数属性 | BD649 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
108.25 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 23:00:00 |
| 人工找货 | BD649价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大（LF）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
BD649规格书详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min)
• High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A
• Low Saturation Voltage
• Complement to Type BD650
APPLICATIONS
• Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications
产品属性
- 产品编号：
BD649-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 50mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS |
25+ |
TO-220 |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
BOURNS |
25+ |
TO-220 |
21000 |
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24+ |
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8168 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
1 |
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BD649 |
25+ |
600 |
600 |
询价 |
