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BD649分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD649

参数属性

BD649 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

115.8 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

POINN

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-22 15:02:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD649

  • 别名:

    BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大(LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD649规格书详情

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651

● 62.5 W at 25°C Case Temperature

● 8 A Continuous Collector Current

● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A

产品属性

  • 产品编号:

    BD649-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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