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B649A	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Poweramplifierapplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD649	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD649	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD649	文件：108.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD649	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD649	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD649	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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