首页 >H11D3>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

H11D3W

HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS

DESCRIPTION The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dua

文件:382.03 Kbytes 页数:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

H11D3X

HIGH VOLTAGE OPTICALLY COUPLED ISOLATOR PHOTOTRANSISTOR OUTPUT

DESCRIPTION The H11D series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diode and NPN silicon photo transistor in a standard 6 pin dual in line plastic package. FEATURES Options :- 10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part

文件:78.54 Kbytes 页数:3 Pages

ISOCOM

英国安数光

H11D3-X007

Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCER Voltage

文件:120.43 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

H11D3M

6 引脚 DIP 高压光电晶体管输出光耦合器

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。 • 高电压:\n• MOC8204M, BVCEO= 400 V\n• H11D1M, BVCEO= 300 V\n• H11D3M, BVCEO= 200 V\n• 安全和法规认证:\n• UL1577,4170 VACRMS(1 分钟)\n• DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • VRWM(V):

    12

  • PD(W):

    350

  • IPP (A) :

    11

  • VC (V):

    32

  • Uni/Bi:

    Bi

  • Cap(pF):

    75

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
11+
DIP
62000
原装正品现货优势18
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
DIP-6
3000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
HAR
05+
原厂原装
6301
只做全新原装真实现货供应
询价
MOT
04+
DIP-6
2000
询价
A
24+
DIP-6
268
询价
QTC
DIP
256
正品原装--自家现货-实单可谈
询价
FSC
25+
DIP-6
3000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
FATRCHILD
22+
DIP-6
7311
进口原装!现货库存
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
5101
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
原装FSC
专业光耦
DIP6
65800
光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
更多H11D3供应商 更新时间2025-10-6 13:38:00