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H06N60F

High Voltage MOSFET

HSMC

华昕

IGD06N60T

IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology

文件:460.08 Kbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IGP06N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

文件:331.26 Kbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IGP06N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

文件:376.67 Kbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Channel:

    N

  • VDSS(V):

    600

  • ID(A):

    6

  • VGS(V):

    ±30

  • RDS(on)Max.(ohm):

    1.2

  • RDS(on)@VGS(V):

    10

  • RDS(on)@ID(A):

    3.6

  • RoHS(Note1):

    PF

  • Status(Note2):

    M

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO2203
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H
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华昕
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INFINEON/英飞凌
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更多H06N60F供应商 更新时间2025-12-17 16:30:00